Версия для печати

Центр микросистемотехники

Научно-производственный центр микросистемотехники включает «чистые помещения»  с классом чистоты ISO 4-8 и общей производственной  площадью 1300 м2.

РАЗРАБОТКА И ПРОИЗВОДСТВО

  • резонаторы и полосовые фильтры на ПАВ с номинальными частотами до 3 ГГц
  • дисперсионные линии задержки на ПАВ с центральной частотой до 700  МГц и уровнем боковых лепестков до – 35дБ
  • гиперзвуковые линии задержки на ОАВ с номинальными частотами 7-12 ГГц 
  • микроэлектронные газовые сенсоры и системы на их основе
  • датчики физических величин на ПАВ и МЭМС-структурах
  • ПАВ-линии задержки (метки) для систем РЧИД с рабочими частотами до 2,45 ГГц
  • системы «лаборатория-на-кристалле»
  • микросборки (гибридные интегральные схемы), печатные узлы и электронные модули
  • категории качества «ОТК» и «ВП»

 

ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ КООПЕРАЦИЯ

  • напыление тонких пленок металлов и диэлектриков
  • «сухое» травление металлических и диэлектрических материалов
  • микромашинная обработка кремниевых, стеклянных и других пластин с формированием выборок и металлизированных сквозных отверстий (технологии TGV,TSV)
  • анодная сварка пластин
  • монтаж, разварка и герметизация микроэлектронных изделий в металлокерамические, металлостеклянные корпуса

Технологическая линейка обеспечивает годовой выпуск изделий МСТ до 350 тыс. шт.

Ключевые параметры технологического процесса

Размер минимального топологического элемента, нм  350
Точность обеспечения  разновысотности элементов структуры, нм ± 1
Аспектное соотношение при травлении 3Д-структур 1:100

Возможность формирования плёночных структур из любых металлов, поликремния, нитридов, оксидов и др., в том числе алмазоподобных плёнок с пьезоэффектом